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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - असिंक्रोनस मेमोरी IC 4Mbit समानांतर 12 ns 44-TSOP II
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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - असिंक्रोनस मेमोरी IC 4Mbit समानांतर 12 ns 44-TSOP II

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - असिंक्रोनस मेमोरी IC 4Mbit समानांतर 12 ns 44-TSOP II

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसीएस) मेमोरीमेमोरी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
थोक
श्रृंखला:
R1RW0416DI
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
12ns
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
44-टीएसओपी II
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
रेनेसा
मेमोरी का आकार:
4 एमबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
3V ~ 3.6V
पैकेज / मामला:
44-टीएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:
256 के x 16
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
तकनीकी:
SRAM - अतुल्यकालिक
पहूंच समय:
12 एनएस
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
हाई लाइट: 

R1RW0416DSB-2PI#D1

,

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM

भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
R1RW0416D-I - व्यापक तापमान R
उत्पाद वर्णन

एसआरएएम - असिंक्रोनस मेमोरी आईसी 4 एमबीट समानांतर 12 एनएस 44-टीएसओपी II

टैग:

फ्लैश मेमोरी आईसी चिप,

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