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71V256SA12YG
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71V256SA12YG

71V256SA12YG

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
थोक
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
12ns
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
28-एसओजे
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
IDT, इंटीग्रेटेड डिवाइस टेक्नोलॉजी इंक
मेमोरी का आकार:
256 केबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
3V ~ 3.6V
पहूंच समय:
12 एनएस
पैकेज / मामला:
28-बीएसओजे (0.300", 7.62 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:
32 के x 8
परिचालन तापमान:
0°C ~ 70°C (TA)
तकनीकी:
SRAM - अतुल्यकालिक
मूल उत्पाद संख्या:
71वी256
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
71V256 - कम शक्ति 3.3V CMOS F
उत्पाद वर्णन
एसआरएएम - असिंक्रोनस मेमोरी आईसी 256Kbit समानांतर 12 ns 28-SOJ

टैग:

फ्लैश मेमोरी आईसी चिप,

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