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उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
ईएमसीपी
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
ईएमएमसी 5.1 एचएस400 + एलपीडीडीआर3
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
221-वीएफबीजीए (13x11.5)
मेमोरी प्रकार:
गैर-वाष्पशील, अस्थिर
एमएफआर:
किन्टाल
परिचालन तापमान:
-25 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
मेमोरी का आकार:
8GByte (NAND), 8Gbit (LPDDR3 DRAM)
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.8 वी, 3.3 वी
पैकेज / मामला:
221-वीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
-
तकनीकी:
फ्लैश - नंद, ड्रामा - एलपीडीडीआर
मूल उत्पाद संख्या:
08EM08
मेमोरी प्रारूप:
फ्लैश, राम
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
आईसी फ़्लश रैम 8GBYTE EMMC 221VFBGA
उत्पाद वर्णन
फ्लैश - NAND, DRAM - LPDDR मेमोरी IC 8GByte (NAND), 8Gbit (LPDDR3 DRAM) eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 221-VFBGA (13x11.5)

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