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TC58NVG1S3HBAI6
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TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
25एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
67-वीएफबीजीए (6.5x8)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
कियॉक्सिया अमेरिका, इंक।
मेमोरी का आकार:
2 जीबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.7V ~ 3.6V
पहूंच समय:
25 एनएस
पैकेज / मामला:
67-वीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
256एम x 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
तकनीकी:
फ्लैश - नंद (एसएलसी)
मूल उत्पाद संख्या:
TC58NVG1
मेमोरी प्रारूप:
चमक
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
आईसी फ्लैश 2GBIT समानांतर 67VFBGA
उत्पाद वर्णन
फ्लैश - एनएंड (एसएलसी) मेमोरी आईसी 2Gbit समानांतर 25 ns 67-वीएफबीजीए (6.5x8)

टैग:

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