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W25N512GVEIG टीआर
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W25N512GVEIG टीआर

W25N512GVEIG टीआर

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:
512 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
SpiFlash®
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
एसपीआई - क्वाड आई/ओ
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
700 μs
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-डब्ल्यूएसओएन (8x6)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
घड़ी की आवृत्ति:
166 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.7V ~ 3.6V
पहूंच समय:
6 एनएस
पैकेज / मामला:
8-डब्ल्यूडीएफएन एक्सपोज्ड पैड
स्मृति संगठन:
64M x 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
तकनीकी:
फ्लैश - नंद (एसएलसी)
मूल उत्पाद संख्या:
W25N512
मेमोरी प्रारूप:
चमक
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
आईसी फ्लैश 512 एमबीआईटी एसपीआई/क्वाड 8डब्लूएसओएन
उत्पाद वर्णन
फ्लैश - NAND (SLC) मेमोरी IC 512Mbit SPI - क्वाड I/O 166 MHz 6 ns 8-WSON (8x6)

टैग:

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