मेसेज भेजें
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
ईमेल ice@tsdatech.com दूरभाष: 86--13825240555
घर > उत्पादों > फ्लैश मेमोरी आईसी चिप >
IS43DR86400E-25DBL
  • IS43DR86400E-25DBL
IS43DR86400E-25DBL

IS43DR86400E-25DBL

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:
512 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
15एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
60-TWBGA (8x10.5)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक
घड़ी की आवृत्ति:
400 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.7V ~ 1.9V
पहूंच समय:
400 PS
पैकेज / मामला:
60-टीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
64M x 8
परिचालन तापमान:
0 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीसी)
तकनीकी:
एसडीआरएएम - डीडीआर2
मूल उत्पाद संख्या:
IS43DR86400
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
उत्पाद वर्णन
एसडीआरएएम - डीडीआर2 मेमोरी आईसी 512 एमबीआईटी समानांतर 400 मेगाहर्ट्ज 400 पीएस 60-टीडब्ल्यूबीजीए (8x10.5)

टैग:

फ्लैश मेमोरी आईसी चिप,

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप,

मेमोरी चिप्स

सिफ़ारिश किये हुए उत्पाद

हमसे किसी भी समय संपर्क करें

86--13825240555
609 नंबर 4018, बाओन रोड, ज़िक्सियांग स्ट्रीट, बाओन जिला, शेन्ज़ेन, ग्वांगडोंग
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
अपनी जांच सीधे हमें भेजें