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MX25V20066M1I02
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MX25V20066M1I02

MX25V20066M1I02

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:
2 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्यूब
श्रृंखला:
एमएक्सएसएमआईओ™
मेमोरी इंटरफ़ेस:
एसपीआई - दोहरी I/O
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
75μs, 4ms
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-एसओपी
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
मैक्रोनिक्स
घड़ी की आवृत्ति:
80 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.3 वी ~ 3.6 वी
पैकेज / मामला:
8-SOIC (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:
1एम x 2, 2एम x 1
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
तकनीकी:
फ्लैश - एनओआर (एसएलसी)
पहूंच समय:
6 एनएस
मेमोरी प्रारूप:
चमक
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
स्मृति
उत्पाद वर्णन
फ्लैश - एनओआर (एसएलसी) मेमोरी आईसी 2 एमबीआईटी एसपीआई - ड्यूल आई/ओ 80 मेगाहर्ट्ज 6 एनएस 8-एसओपी

टैग:

फ्लैश मेमोरी आईसी चिप,

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