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SFEM064GB2ED1TB-I-CE-111-STD
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SFEM064GB2ED1TB-I-CE-111-STD

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उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:
512 जीबीआईटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
ईएम-30
मेमोरी इंटरफ़ेस:
eMMC
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
153-बीजीए (11.5x13)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
स्विसबिट
घड़ी की आवृत्ति:
200 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.7V ~ 3.6V
पैकेज / मामला:
153-टीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
64 जी एक्स 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C
तकनीकी:
फ्लैश - नंद (टीएलसी)
मेमोरी प्रारूप:
चमक
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
औद्योगिक एंबेडेड एमएमसी, ईएम-30,
उत्पाद वर्णन
फ्लैश - NAND (TLC) मेमोरी IC 512Gbit eMMC 200 MHz 153-BGA (11.5x13)

टैग:

फ्लैश मेमोरी आईसी चिप,

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