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MT29F64G08AECABH1-10ITZ:ए
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MT29F64G08AECABH1-10ITZ:ए

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:ए

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:
64 जीबीटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
100-वीबीजीए (12x18)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
घड़ी की आवृत्ति:
100 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.7V ~ 3.6V
पैकेज / मामला:
100-वीबीजीए
स्मृति संगठन:
8 जी एक्स 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
तकनीकी:
फ्लैश - नंद
मूल उत्पाद संख्या:
MT29F64G08
मेमोरी प्रारूप:
चमक
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
आईसी फ्लैश 64GBIT समानांतर 100VBGA
उत्पाद वर्णन
फ्लैश - NAND मेमोरी IC 64Gbit समानांतर 100 MHz 100-VBGA (12x18)

टैग:

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