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70V659S10BCG
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70V659S10BCG

70V659S10BCG

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
10एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
256-कैबगा (17x17)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
मेमोरी का आकार:
4.5Mbit
वोल्टेज - आपूर्ति:
3.15 वी ~ 3.45 वी
पहूंच समय:
10 एनएस
पैकेज / मामला:
256-एलबीजीए
स्मृति संगठन:
128K x 36
परिचालन तापमान:
0°C ~ 70°C (TA)
तकनीकी:
SRAM - डुअल पोर्ट, एसिंक्रोनस
मूल उत्पाद संख्या:
70V659
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
आईसी एसआरएएम 4.5 एमबीआईटी पार 256 सीएबीजीए
उत्पाद वर्णन
एसआरएएम - डबल पोर्ट, असिंक्रोनस मेमोरी आईसी 4.5 एमबीआईटी समानांतर 10 एनएस 256-सीएबीजीए (17x17)

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