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CYD18S36V18-200BBAXI
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CYD18S36V18-200BBAXI

CYD18S36V18-200BBAXI

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:
18एमबिट
उत्पाद की स्थिति:
अप्रचलित
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
256-एफबीजीए (17x17)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
साइप्रस सेमीकंडक्टर कार्पोरेशन
घड़ी की आवृत्ति:
200 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
पहूंच समय:
3.3 एन.एस
पैकेज / मामला:
256-एलबीजीए
स्मृति संगठन:
512K x 36
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
तकनीकी:
SRAM - डुअल पोर्ट, सिंक्रोनस
मूल उत्पाद संख्या:
CYD18S36
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
आईसी एसआरएएम 18 एमबीआईटी समानांतर 256 एफबीजीए
उत्पाद वर्णन
एसआरएएम - डबल पोर्ट, सिंक्रोनस मेमोरी आईसी 18 एमबीआईटी समानांतर 200 मेगाहर्ट्ज 3.3 एनएस 256-एफबीजीए (17x17)

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