मेसेज भेजें
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
ईमेल ice@tsdatech.com दूरभाष: 86--13825240555
घर > उत्पादों > फ्लैश मेमोरी आईसी चिप >
CY14B104LA-BA45XI
  • CY14B104LA-BA45XI
CY14B104LA-BA45XI

CY14B104LA-BA45XI

उत्पाद विवरण
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
45एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
48-एफबीजीए (6x10)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज
मेमोरी का आकार:
4 एमबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.7V ~ 3.6V
पहूंच समय:
45 एनएस
पैकेज / मामला:
48-टीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
512 के एक्स 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
तकनीकी:
एनवीएसरैम (गैर-वाष्पशील एसआरएएम)
मूल उत्पाद संख्या:
CY14B104
मेमोरी प्रारूप:
एनवीएसरैम
भुगतान और शिपिंग शर्तें
विवरण
आईसी एनवीएसआरएएम 4एमबीआईटी समानांतर 48एफबीजीए
उत्पाद वर्णन
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) मेमोरी IC 4Mbit Parallel 45 ns 48-FBGA (6x10)

टैग:

फ्लैश मेमोरी आईसी चिप,

इंटीग्रेटेड सर्किट चिप,

मेमोरी चिप्स

सिफ़ारिश किये हुए उत्पाद

हमसे किसी भी समय संपर्क करें

86--13825240555
609 नंबर 4018, बाओन रोड, ज़िक्सियांग स्ट्रीट, बाओन जिला, शेन्ज़ेन, ग्वांगडोंग
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
अपनी जांच सीधे हमें भेजें